W947D2HBJX5E
Winbond Electronics
Deutsch
Artikelnummer: | W947D2HBJX5E |
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Hersteller / Marke: | Winbond Electronics Corporation |
Teil der Beschreibung.: | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | 15ns |
Spannungsversorgung | 1.7V ~ 1.95V |
Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR |
Supplier Device-Gehäuse | 90-VFBGA (8x13) |
Serie | - |
Verpackung / Gehäuse | 90-TFBGA |
Paket | Tray |
Betriebstemperatur | -25°C ~ 85°C (TC) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Speichertyp | Volatile |
Speichergröße | 128Mbit |
Speicherorganisation | 4M x 32 |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Speicherformat | DRAM |
Uhrfrequenz | 200 MHz |
Grundproduktnummer | W947D2 |
Zugriffszeit | 5 ns |
W947D2HBJX5E Einzelheiten PDF [English] | W947D2HBJX5E PDF - EN.pdf |
IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA
IC DRAM 64MBIT PAR 66TSOP II
IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90VFBGA
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() W947D2HBJX5EWinbond Electronics |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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